18日、(株)安川電機（本社：北九州市八幡西区、津田 純嗣社長）は独自の電気自動車（以下「EV」）用モータドライブ「QMETドライブ」にSiC（シリコンカーバイド）を採用した「SiC-QMET」を開発したと発表した。
　「SiC-QMET」は、ローム(株)（本社：京都市）が新規開発したSiC-トレンチMOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を採用しており、安川電機のドライブ技術とロームのデバイス技術を融合させた新しいコンセプトのEV用モータドライブとしている。

　従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードをSiCに置き換えると同時に、SiCの高温動作特性を活かし、モータの冷却構造の簡素化、小型化とともに更なる高効率化を実現。また、モータ駆動用のインバータの主回路も全てSiC化し、大幅な小型化・高効率化を実現した。これにより、モータの電子式巻線切替部の体積およびインバータの体積を従来の１／２以下とし、変換効率を２％向上したとしている。

　なお今回の開発成果は、１月19日から21日まで東京ビッグサイトで開催される「第２回　EV・HEV駆動システム技術展（通称「EV JAPAN」）」の安川電機ブースにおいて展示される。

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